原子吸收分光光度計(jì)的干擾及消除方法
(1)物理干擾物理干擾是指試樣在轉(zhuǎn)移、蒸發(fā)過(guò)程中任何物理因素變化而引起的干擾效應(yīng)。屬于這類干擾的因素有:試液的粘度、溶劑的蒸汽壓、霧化氣體的壓力等。物理干擾是非選擇性干擾,對(duì)試樣各元素的影響基本是相似的。 配制與被測(cè)試樣相似的標(biāo)準(zhǔn)樣品,是消除物理干擾的常用的方法。在不知道試樣組成或無(wú)法匹配試樣時(shí),可采用標(biāo)準(zhǔn)加入法或稀釋法來(lái)減小和消除物理干擾。
(2)化學(xué)干擾化學(xué)干擾是指待測(cè)元素與其它組分之間的化學(xué)作用所引起的干擾效應(yīng),它主要影響待測(cè)元素的原子化效率,是原子吸收分光光度法中的主要干擾來(lái)源。它是由于液相或氣相中被測(cè)元素的原子與干擾物質(zhì)組成之間形成熱力學(xué)更穩(wěn)定的化合物,從而影響被測(cè)元素化合物的解離及其原子化。 消除化學(xué)干擾的方法有:化學(xué)分離;使用高溫火焰;加入釋放劑和保護(hù)劑;使用基體改進(jìn)劑等。
(3)電離干擾在高溫下原子電離,使基態(tài)原子的濃度減少,引起原子吸收信號(hào)降低,此種干擾稱為電離干擾。電離效應(yīng)隨溫度升高、電離平衡常數(shù)增大而增大,隨被測(cè)元素濃度增高而減小。加入更易電離的堿金屬元素,可以有效地消除電離干擾。
(4)光譜干擾光譜干擾包括譜線重疊、光譜通帶內(nèi)存在非吸收線、原子化池內(nèi)的直流發(fā)射、分子吸收、光散射等。當(dāng)采用銳線光源和交流調(diào)制技術(shù)時(shí),前3種因素一般可以不予考慮,主要考慮分子吸收和光散射地影響,它們是形成光譜背景的主要因素。
(5)分子吸收干擾分子吸收干擾是指在原子化過(guò)程中生成的氣體分子、氧化物及鹽類分子對(duì)輻射吸收而引起的干擾。光散射是指在原子化過(guò)程中產(chǎn)生的固體微粒對(duì)光產(chǎn)生散射,使被散射的光偏離光路而不為檢測(cè)器所檢測(cè),導(dǎo)致吸光度值偏高。
抗干擾:用來(lái)對(duì)抗通訊或雷達(dá)運(yùn)行的任何干擾的系統(tǒng)或技術(shù) 。
學(xué)術(shù)定義:(1)抗干擾的定義是:結(jié)合電路的特點(diǎn)使干擾減少到最小。(2)所謂抗干擾:是指設(shè)備能夠防止經(jīng)過(guò)天線輸入端,設(shè)備的外殼以及沿電源線作用于設(shè)備的電磁干擾。
措施 抗干擾措施的基本原則是:抑制干擾源,切斷干擾傳播路徑,提高敏感器件的抗干擾性能。1、抑制干擾源 抑制干擾源就是盡可能的減小干擾源的du/dt,di/dt。
這是抗干擾設(shè)計(jì)中最優(yōu)先考慮和最重要的原則,常常會(huì)起到事半功倍的效果。減小干擾源的du/dt主要是通過(guò)在干擾源兩端并聯(lián)電容來(lái)實(shí)現(xiàn)。
減小干擾源的di/dt則是在干擾源回路串聯(lián)電感或電阻以及增加續(xù)流二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)。抑制干擾源的常用措施如下:⑴繼電器線圈增加續(xù)流二極管,消除斷開(kāi)線圈時(shí)產(chǎn)生的反電動(dòng)勢(shì)干擾。
僅加續(xù)流二極管會(huì)使繼電器的斷開(kāi)時(shí)間滯后,增加穩(wěn)壓二極管后繼電器在單位時(shí)間內(nèi)可動(dòng)作更多的次數(shù)。⑵在繼電器接點(diǎn)兩端并接火花抑制電路(一般是RC串聯(lián)電路,電阻一般選幾K到幾十K,電容選0.01uF),減小電火花影響。
⑶給電機(jī)加濾波電路,注意電容、電感引線要盡量短。⑷電路板上每個(gè)IC要并接一個(gè)0.01μF~0.1μF高頻電容,以減小IC對(duì)電源的影響。
注意高頻電容的布線,連線應(yīng)靠近電源端并盡量粗短,否則,等于增大了電容的等效串聯(lián)電阻,會(huì)影響濾波效果。⑸布線時(shí)避免90度折線,減少高頻噪聲發(fā)射。
⑹可控硅兩端并接RC抑制電路,減小可控硅產(chǎn)生的噪聲(這個(gè)噪聲嚴(yán)重時(shí)可能會(huì)把可控硅擊穿的)。2、切斷干擾傳播路徑的常用措施 ⑴充分考慮電源對(duì)單片機(jī)的影響。
電源做得好,整個(gè)電路的抗干擾就解決了一大半。許多單片機(jī)對(duì)電源噪聲很敏感,要給單片機(jī)電源加濾波電路或穩(wěn)壓器,以減小電源噪聲對(duì)單片機(jī)的干擾。
比如,可以利用磁珠和電容組成π形濾波電路,當(dāng)然條件要求不高時(shí)也可用100Ω電阻代替磁珠。⑵如果單片機(jī)的I/O口用來(lái)控制電機(jī)等噪聲器件,在I/O口與噪聲源之間應(yīng)加隔離(增加π形濾波電路)。
控制電機(jī)等噪聲器件,在I/O口與噪聲源之間應(yīng)加隔離(增加π形濾波電路)。⑶注意晶振布線。
晶振與單片機(jī)引腳盡量靠近,用地線把時(shí)鐘區(qū)隔離起來(lái),晶振外殼接地并固定。此措施可解決許多疑難問(wèn)題。
⑷電路板合理分區(qū),如強(qiáng)、弱信號(hào),數(shù)字、模擬信號(hào)。盡可能把干擾源(如電機(jī),繼電器)與敏感元件(如單片機(jī))遠(yuǎn)離。
⑸用地線把數(shù)字區(qū)與模擬區(qū)隔離,數(shù)字地與模擬地要分離,最后在一點(diǎn)接于電源地。A/D、D/A芯片布線也以此為原則,廠家分配A/D、D/A芯片引腳排列時(shí)已考慮此要求。
⑹單片機(jī)和大功率器件的地線要單獨(dú)接地,以減小相互干擾。大功率器件盡可能放在電路板邊緣。
⑺在單片機(jī)I/O口,電源線,電路板連接線等關(guān)鍵地方使用抗干擾元件如磁珠、磁環(huán)、電源濾波器,屏蔽罩,可顯著提高電路的抗干擾性能。⒊提高敏感器件的抗干擾性能 提高敏感器件的抗干擾性能是指從敏感器件這邊考慮盡量減少對(duì)干擾噪聲的拾取,以及從不正常狀態(tài)盡快恢復(fù)的方法。
提高敏感器件抗干擾性能的常用措施如下:⑴布線時(shí)盡量減少回路環(huán)的面積,以降低感應(yīng)噪聲。⑵布線時(shí),電源線和地線要盡量粗。
除減小壓降外,更重要的是降低耦合噪聲。⑶對(duì)于單片機(jī)閑置的I/O口,不要懸空,要接地或接電源。
其它IC的閑置端在不改變系統(tǒng)邏輯的情況下接地或接電源。⑷對(duì)單片機(jī)使用電源監(jiān)控及看門(mén)狗電路,如:IMP809,IMP706,IMP813,X25043,X25045等,可大幅度提高整個(gè)電路的抗干擾性能。
⑸在速度能滿足要求的前提下,盡量降低單片機(jī)的晶振和選用低速數(shù)字電路。⑹IC器件盡量直接焊在電路板上,少用IC座。
4、軟件方面 ⑴我習(xí)慣于將不用的代碼空間全清成"0",因?yàn)檫@等效于NOP,可在程序跑飛時(shí)歸位; ⑵在跳轉(zhuǎn)指令前加幾個(gè)NOP,目的同1; ⑶在無(wú)硬件WatchDog時(shí)可采用軟件模擬WatchDog,以監(jiān)測(cè)程序的運(yùn)行; ⑷涉及處理外部器件參數(shù)調(diào)整或設(shè)置時(shí),為防止外部器件因受干擾而出錯(cuò)可定時(shí)將參數(shù)重新發(fā)送一遍,這樣可使外部器件盡快恢復(fù)正確;⑸通訊中的抗干擾,可加數(shù)據(jù)校驗(yàn)位,可采取3取2或5取3策略; ⑹在有通訊線時(shí),如I^2C、三線制等,實(shí)際中我們發(fā)現(xiàn)將Data線、CLK線、INH線常態(tài)置為高,其抗干擾效果要好過(guò)置為低。5、硬件方面 ⑴地線、電源線的布線肯定重要了?、凭€路的去耦; ⑶數(shù)、模地的分開(kāi); ⑷每個(gè)數(shù)字元件在地與電源之間都要104電容; ⑸在有繼電器的應(yīng)用場(chǎng)合,尤其是大電流時(shí),防繼電器觸點(diǎn)火花對(duì)電路的干擾,可在繼電器線圈間并一104和二極管,在觸點(diǎn)和常開(kāi)端間接472電容,效果不錯(cuò)?、蕿榉繧/O口的串?dāng)_,可將I/O口隔離,方法有二極管隔離、門(mén)電路隔離、光偶隔離、電磁隔離等; ⑺當(dāng)然多層板的抗干擾肯定好過(guò)單面板,但成本卻高了幾倍。
⑻選擇一個(gè)抗干擾能力強(qiáng)的器件比之任何方法都有效,我想這點(diǎn)應(yīng)該最重要。因?yàn)槠骷焐牟蛔闶呛茈y用外部方法去彌補(bǔ)的,但往往抗干擾能力強(qiáng)的就貴些,抗干擾能力差的就便宜,正如臺(tái)灣的東東便宜但性能卻大打折扣一樣!主要看各位的應(yīng)用場(chǎng)合了!實(shí)現(xiàn)辦法 ⒈干擾現(xiàn)象分析 干擾成因:現(xiàn)有的國(guó)內(nèi)衛(wèi)星廣播電視系統(tǒng)普遍采用的是透明轉(zhuǎn)發(fā)器和單波束賦形。
DNA/RNA吸收光譜峰在260 nm處,據(jù)計(jì)算,測(cè)定此波長(zhǎng)下DNA溶液的OD值,當(dāng)OD260=1時(shí),雙鏈DNA含量約為50 μg/ml ,單鏈DNA與RNA含量為40 μg/ml ,寡核甘酸的含量為33 μg/ml ,據(jù)此可用紫外分光光度計(jì)測(cè)定溶液中DNA或RNA的含量。
由于蛋白質(zhì)的吸收峰在280 nm處,在測(cè)定 DNA或RNA含量時(shí),還常計(jì)算 OD260/ OD280 之值,如該值為 1.8~2.0時(shí),認(rèn)為已達(dá)到較高的純度,如低于此值,表明其內(nèi)含雜質(zhì)較多。測(cè)量RNA時(shí),DNA的影響無(wú)法校正。
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