模電flash(flash學習知識點)
1.flash學習知識點
以下知識點涵蓋了FLASH的入門和中級所要掌握的知識點，最后兩點在設計方面尤為重要，引導和遮罩。（軟件ADOBE FLASH） 幀幀動畫是什么？幀幀動畫又成為逐幀動畫，它是動畫基本形式，在需要細致表現(xiàn)對象運動效果的時候可以采用幀幀動畫的形 式。幀幀動畫每一幀都有不同的內容。大家知道，在Falsh中關鍵幀將影響發(fā)布的作品的體積，關鍵幀越多，作品的體積越大。因此在實際使用中，大家應根據(jù) 作品表現(xiàn)內容的需要合理使用幀幀動畫和補間動畫。
什么是補間動畫？所謂補間動畫又叫做中間幀動畫，漸變動畫，只要建立起始和結束的畫面，中間部分由軟件自動生成，省去了中間動畫制作的復雜過程，這正是Flash的迷人之處，補間動畫是Flash中最常用的動畫效果。
什么是形狀補間？形狀補間又叫做形狀漸變，適用的對象為圖形，形狀補間可以實現(xiàn)移動、縮放、旋轉、填充漸變色、對象加速，減速，變形等效果。形狀補間起止對象都必須是圖形（形狀）Flash軟件工具箱中工具繪制的圖都是圖形，可以直接制作形狀補間。
什么是動作補間？動作補間又叫運動漸變，適用對象是元件。動作補間可以實現(xiàn)位置移動、大小變化、顏色變化、透明度變化，明暗、色調變化等效果。動作補間起止對象都必須是元件。
區(qū)分圖形和元件的方法是什么？選擇黑箭頭工具，點擊場景中的元素，如果是呈麻點狀的元素是圖形，呈現(xiàn)藍色邊框狀的是元件或者是組合的圖形。元素不是圖形時，如果要使用形狀補間，可以使用打散（分離）命令。元素不是元件時，如果要使用動作補間，可以使用組合或者轉換成元件命令。
引導線使用的方法引導線實際上是建立在引導層上的給出運動的軌跡。首先要注意引導層應在運動層上面并啟用“對齊對象”工具，在引導線的起始位置注意注冊點的對齊（吸附）
遮罩層的使用方法遮罩層應位于被遮罩層的上方，遮罩層中元素的形狀是我們看到下面一層的畫面的形狀。這里要注意區(qū)別，在很多Flash 作品中為了遮擋住工作區(qū)中不希望顯示在場景中的動畫和元素，大家通常使用遮片，遮片通常是建立一圖層，繪制一個大于場景的圖形，中間留出空隙來顯示下面的 圖層，遮片位于所有圖層的最上方，是一個普通層，而遮罩層只位于被遮罩層上方，是一個特殊層。
2.Nand flash基本知識
nand flash 原理簡介【轉】 Fisrt part :NAND flash和NOR flash的不同 NOR flash采用位讀寫，因為它具有sram的接口，有足夠的引腳來尋址，可以很容易的存取其內部的每一個字節(jié)。
NAND flash使用復雜的I/O口來穿行地存取數(shù)據(jù)。8個引腳用來傳送控制、地址和數(shù)據(jù)信息。
NAND的讀和寫單位為512Byte的頁，擦寫單位為32頁的塊?！?NOR的讀速度比NAND稍快一些。
● NAND的寫入速度比NOR快很多。 ● NAND的4ms擦除速度遠比NOR的5s快。
● 大多數(shù)寫入操作需要先進行擦除操作。 ● NAND的擦除單元更小，相應的擦除電路更少。
在NOR器件上運行代碼不需要任何的軟件支持，在NAND器件上進行同樣操作時，通常需要驅動程序，也就是內存技術驅動程序（MTD）,NAND和NOR器件在進行寫入和擦除操作時都需要MTD。---------摘抄自網(wǎng)上流傳很廣的《NAND 和 NOR flash的區(qū)別》 Second part:NAND Flash結構與驅動分析 一、NAND flash的物理組成NAND Flash 的數(shù)據(jù)是以bit的方式保存在memory cell，一般來說，一個cell 中只能存儲一個bit。
這些cell 以8個或者16個為單位，連成bit line，形成所謂的byte(x8)/word(x16)，這就是NAND Device的位寬。這些Line會再組成Page,(NAND Flash 有多種結構，我使用的NAND Flash 是K9F1208，下面內容針對三星的K9F1208U0M)，每頁528Bytes(512byte(Main Area)+16byte(Spare Area)），每32個page形成一個Block(32*528B)。
具體一片flash上有多少個Block視需要所定。我所使用的三星k9f1208U0M具有4096個block，故總容量為4096*(32*528B)=66MB，但是其中的2MB是用來保存ECC校驗碼等額外數(shù)據(jù)的，故實際中可使用的為64MB。
NAND flash以頁為單位讀寫數(shù)據(jù)，而以塊為單位擦除數(shù)據(jù)。按照這樣的組織方式可以形成所謂的三類地址： Column Address:Starting Address of the Register. 翻成中文為列地址，地址的低8位Page Address ：頁地址Block Address ：塊地址對于NAND Flash來講，地址和命令只能在I/O[7:0]上傳遞，數(shù)據(jù)寬度是8位。
二、NAND Flash地址的表示512byte需要9bit來表示，對于528byte系列的NAND，這512byte被分成1st half Page Register和2nd half Page Register，各自的訪問由地址指針命令來選擇，A[7:0]就是所謂的column address（列地址），在進行擦除操作時不需要它，why？因為以塊為單位擦除。32個page需要5bit來表示，占用A[13:9]，即該page在塊內的相對地址。
A8這一位地址被用來設置512byte的1st half page還是2nd half page,0表示1st,1表示2nd。Block的地址是由A14以上的bit來表示。
例如64MB(512Mb)的NAND flash（實際中由于存在spare area，故都大于這個值），共4096block，因此，需要12個bit來表示，即A[25:14]，如果是128MB(1Gbit) 的528byte/page的NAND Flash，則block address用A[26:14]表示。而page address就是blcok address|page address in block NAND Flash 的地址表示為： Block Address|Page Address in block|halfpage pointer|Column Address 地址傳送順序是Column Address,Page Address,Block Address。
由于地址只能在I/O[7:0]上傳遞，因此，必須采用移位的方式進行。 例如，對于512Mbit x8的NAND flash，地址范圍是0~0x3FF_FFFF，只要是這個范圍內的數(shù)值表示的地址都是有效的。
以NAND_ADDR 為例：第1 步是傳遞column address，就是NAND_ADDR[7:0]，不需移位即可傳遞到I/O[7:0]上，而halfpage pointer即A8 是由操作指令決定的，即指令決定在哪個halfpage 上進行讀寫，而真正的A8 的值是不需程序員關心的。 第2 步就是將NAND_ADDR 右移9位，將NAND_ADDR[16:9]傳到I/O[7:0]上；第3 步將NAND_ADDR[24:17]放到I/O上；第4步需要將NAND_ADDR[25]放到I/O上；因此，整個地址傳遞過程需要4 步才能完成，即4-step addressing。
如果NAND Flash 的容量是32MB(256Mbit)以下，那么，block adress最高位只到bit24，因此尋址只需要3步。 下面，就x16 的NAND flash 器件稍微進行一下說明。
由于一個page 的main area 的容量為256word，仍相當于512byte。但是，這個時候沒有所謂的1st halfpage 和2nd halfpage 之分了，所以，bit8就變得沒有意義了，也就是這個時候 A8 完全不用管，地址傳遞仍然和x8 器件相同。
除了，這一點之外，x16 的NAND使用方法和 x8 的使用方法完全相同。 三、NAND flash驅動解讀以前由于做移植多一些，那些工作很簡單（現(xiàn)在看來），從來都不用去關心驅動里面到底怎么實現(xiàn)的，這幾次面試才發(fā)現(xiàn)真的是學的太淺了，似乎我還在學習仰泳而那些牛人基本都屬于潛水級的了，潛的不知有多深。
我對照著開發(fā)板所帶的NAND flash驅動和k9f1208的芯片資料把這些代碼通讀了一遍，終于明白了NAND flash的讀寫過程是如何實現(xiàn)的了。我所參考的驅動是mizi公司為三星芯片所寫的，我看看了，大概和官方2.4.18內核的nand.c差不多。
在s3c2410處理器中有專門的NAND flash控制器，他們位于SFR區(qū)，具體可以參看s3c2410用戶手冊。以下的這些代碼均可以在vivi或者kernel里面找到，文中會標明程序出自何處。
在vivi中，有關。
3.模擬電路基礎知識
原發(fā)布者：zhanghefangha
第1章電路的基礎知識1.1電路和電路模型1.2電路中的主要物理量1.3電路的基本元件1.4基爾霍夫定律1.5基爾霍夫定律1.6簡單電阻電路的分析方法第1章電路的基礎知識本章要求：本章要求：1.理解電壓與電流參考方向的意義；1.理解電壓與電流參考方向的意義；理解電壓與電流參考方向的意義2.理解電路的基本定律并能正確應用；理解電路的基本定律并能正確應用；3.了解電路的有載工作、開路與短路狀態(tài)，了解電路的有載工作、開路與短路狀態(tài)，理解電功率和額定值的意義；理解電功率和額定值的意義；4.會計算電路中各點的電位。會計算電路中各點的電位。1.1電路和電路模型電路是電流的通路，電路是電流的通路，是為了某種需要由電工設備或電路元件按一定方式組合而成?；螂娐吩匆欢ǚ绞浇M合而成。1.電路的作用（1）實現(xiàn)電能的傳輸、分配與轉換實現(xiàn)電能的傳輸、發(fā)電機升壓變壓器輸電線降壓變壓器電燈電動機電爐。（2）實現(xiàn)信號的傳遞與處理（2）實現(xiàn)信號的傳遞與處理話筒揚聲器放大器2.電路的組成部分電路的組成部分電源：電源提供電能的裝置升壓變壓器輸電線負載：負載取用電能的裝置電燈電動機電爐。發(fā)電機降壓變壓器中間環(huán)節(jié)：傳遞、中間環(huán)節(jié)：傳遞、分配和控制電能的作用2.電路的組成部分2.電路的電路的組成部分信號源：信號源提供信息信號處理：信號處理：放大、調諧、放大、調諧、檢波等話
4.flash制作需要哪方面的基礎
要做那樣的網(wǎng)站很簡單`
第一`你要會做flash動作``就是幀動作`
當然可以用as來做但這個比較復雜``還是用幀做比較好
做成影片剪輯 然后 你還要會簡單的AS代碼``比如說按鈕的聯(lián)接``點擊按鈕轉到指定的影片
其它的就沒什么了
哎喲````還不夠啊`
說實話``做flash網(wǎng)站好看`
但如果你不懂基本的as 那還是不行`
as 是控制按鈕``圖效等等的程序``
如果你只是做出影片動作`但你還得用東西來控制``還要實現(xiàn)跳轉`
所以說``要做flash網(wǎng)站``基本的東西除了影片動作`還要簡單的as
個人覺的不需要c++也能做出那樣的網(wǎng)站！
5.模擬電路基礎知識是什么
模電就是處理模擬電子信號的東西（連續(xù)變化的電子信號，就像溫度的連續(xù)變化一樣），其實說全面點，模電包括“低頻電子”和“高頻電子”，普通電子專業(yè)的模電教材是低頻的，而高頻有專門的教材。
初學者先學低頻吧。
這個知識就太多了，因為信號是很復雜的，用到的東西當然多了。
其實放大就是模電里很核心的一塊內容的，不要單純地去理解“放大”，要按照用途來理解，比如阻抗變換等等。. 其實對于初學者，能把二極管、三極管的原理與電路弄清楚就OK了，再適當?shù)亟佑|下電容和電感，把它們的典型電路和原理弄清楚了，模電就學成了。
6.模電,模擬電子技術基礎
第一章 半導體二極管一.半導體的基礎知識1.半導體---導電能力介于導體和絕緣體之間的物質（如硅Si、鍺Ge）。
2.特性---光敏、熱敏和摻雜特性。3.本征半導體----純凈的具有單晶體結構的半導體。
4. 兩種載流子 ----帶有正、負電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。5.雜質半導體----在本征半導體中摻入微量雜質形成的半導體。
體現(xiàn)的是半導體的摻雜特性。 *P型半導體： 在本征半導體中摻入微量的三價元素（多子是空穴，少子是電子）。
*N型半導體： 在本征半導體中摻入微量的五價元素（多子是電子，少子是空穴）。6. 雜質半導體的特性 *載流子的濃度---多子濃度決定于雜質濃度，少子濃度與溫度有關。
*體電阻---通常把雜質半導體自身的電阻稱為體電阻。 *轉型---通過改變摻雜濃度，一種雜質半導體可以改型為另外一種雜質半導體。
7. PN結 * PN結的接觸電位差---硅材料約為0.6~0.8V，鍺材料約為0.2~0.3V。 * PN結的單向導電性---正偏導通，反偏截止。
8. PN結的伏安特性二. 半導體二極管 *單向導電性------正向導通，反向截止。 *二極管伏安特性----同PN結。
*正向導通壓降------硅管0.6~0.7V，鍺管0.2~0.3V。 *死區(qū)電壓------硅管0.5V，鍺管0.1V。
3.分析方法------將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低： 若 V陽 >V陰（ 正偏 ），二極管導通（短路）； 若 V陽 <V陰（ 反偏 ），二極管截止（開路）。1）圖解分析法該式與伏安特性曲線的交點叫靜態(tài)工作點Q。
2） 等效電路法? 直流等效電路法*總的解題手段----將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低： 若 V陽 >V陰（ 正偏 ），二極管導通（短路）； 若 V陽 <V陰（ 反偏 ），二極管截止（開路）。*三種模型? 微變等效電路法三. 穩(wěn)壓二極管及其穩(wěn)壓電路*穩(wěn)壓二極管的特性---正常工作時處在PN結的反向擊穿區(qū)，所以穩(wěn)壓二極管在電路中要反向連接。
第二章 三極管及其基本放大電路1.類型---分為NPN和PNP兩種。2.特點---基區(qū)很薄，且摻雜濃度最低；發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高，與基區(qū)接觸 面積較??；集電區(qū)摻雜濃度較高，與基區(qū)接觸面積較大。
二. 三極管的工作原理1. 三極管的三種基本組態(tài)。
7.模擬電路基礎知識是什么
模電就是處理模擬電子信號的東西（連續(xù)變化的電子信號，就像溫度的連續(xù)變化一樣），其實說全面點，模電包括“低頻電子”和“高頻電子”，普通電子專業(yè)的模電教材是低頻的，而高頻有專門的教材。
初學者先學低頻吧。
這個知識就太多了，因為信號是很復雜的，用到的東西當然多了。
其實放大就是模電里很核心的一塊內容的，不要單純地去理解“放大”，要按照用途來理解，比如阻抗變換等等。. 其實對于初學者，能把二極管、三極管的原理與電路弄清楚就OK了，再適當?shù)亟佑|下電容和電感，把它們的典型電路和原理弄清楚了，模電就學成了。
