ddr3介紹(求助：內(nèi)存基本知識(shí)：DDRDDR2DDR3?)

1.求助：內(nèi)存基本知識(shí)：DDR DDR2 DDR3 ?

什么是DDR1有時(shí)候大家將老的存儲(chǔ)技術(shù) DDR 稱(chēng)為 DDR1 ，使之與 DDR2 加以區(qū)分。

盡管一般是使用 “DDR” ，但 DDR1 與 DDR 的含義相同。DDR1規(guī)格DDR-200: DDR-SDRAM 記憶芯片在100 MHz下運(yùn)行 DDR-266: DDR-SDRAM DDR2.2G記憶芯片在133 MHz下運(yùn)行 DDR-333: DDR-SDRAM 記憶芯片在166 MHz下運(yùn)行 DDR-400: DDR-SDRAM 記憶芯片在200 MHz下運(yùn)行（JEDEC制定的DDR最高規(guī)格） DDR-500: DDR-SDRAM 記憶芯片在250 MHz下運(yùn)行（非JEDEC制定的DDR規(guī)格） DDR-600: DDR-SDRAM 記憶芯片在300 MHz下運(yùn)行（非JEDEC制定的DDR規(guī)格） DDR-700: DDR-SDRAM 記憶芯片在350 MHz下運(yùn)行（非JEDEC制定的DDR規(guī)格）什么是 DDR2DDR2 是 DDR SDRAM 內(nèi)存的第二代產(chǎn)品。

它在 DDR 內(nèi)存技術(shù)的基礎(chǔ)上加以改進(jìn)，從而其傳輸速度更快（可達(dá) 667MHZ ），耗電量更低，散熱性能更優(yōu)良 .DDR2(Double Data Rate 2) SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)） DDR2內(nèi)存的頻率進(jìn)行開(kāi)發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同就是，雖然同是采用了在時(shí)鐘的上升/下降延同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，但DDR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力（即：4bit數(shù)據(jù)預(yù)讀取）。換句話(huà)說(shuō)，DDR2內(nèi)存每個(gè)時(shí)鐘能夠以4倍外部總線(xiàn)的速度讀/寫(xiě)數(shù)據(jù)，并且能夠以?xún)?nèi)部控制總線(xiàn)4倍的速度運(yùn)行。

DDR3與DDR2的比較DDR3與DDR2幾個(gè)主要的不同之處 ：1.突發(fā)長(zhǎng)度（Burst Length,BL）由于DDR3的預(yù)取為8bit，所以突發(fā)傳輸周期（Burst Length,BL）也固定為8 DDR3，而對(duì)于DDR2和早期的DDR架構(gòu)系統(tǒng)，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個(gè)4bit Burst Chop（突發(fā)突變）模式，即由一個(gè)BL=4的讀取操作加上一個(gè)BL=4的寫(xiě)入操作來(lái)合成一個(gè)BL=8的數(shù)據(jù)突發(fā)傳輸，屆時(shí)可通過(guò)A12地址線(xiàn)來(lái)控制這一突發(fā)模式。而且需要指出的是，任何突發(fā)中斷操作都將在DDR3內(nèi)存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更靈活的突發(fā)傳輸控制（如4bit順序突發(fā)）。

2.尋址時(shí)序（Timing）就像DDR2從DDR轉(zhuǎn)變而來(lái)后延遲周期數(shù)增加一樣，DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL范圍一般在2~5之間，而DDR3則在5~11之間，且附加延遲（AL）的設(shè)計(jì)也有所變化。

DDR2時(shí)AL的范圍是0~4，而DDR3時(shí)AL有三種選項(xiàng)，分別是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3還新增加了一個(gè)時(shí)序參數(shù)——寫(xiě)入延遲（CWD），這一參數(shù)將根據(jù)具體的工作頻率而定。

其中 DDR2 的頻率對(duì)照表如右圖所示。3.DDR3新增的重置（Reset）功能重置是DDR3新增的一項(xiàng)重要功能，并為此專(zhuān)門(mén)準(zhǔn)備了一個(gè)引腳。

DRAM業(yè)界很早以前就要求增加這一功能，如今終于在DDR3上實(shí)現(xiàn)了。這一引腳將使DDR3的初始化處理變得簡(jiǎn)單。

當(dāng)Reset命令有效時(shí)，DDR3內(nèi)存將停止所有操作，并切換至最少量活動(dòng)狀態(tài)，以節(jié)約電力。在Reset期間，DDR3內(nèi)存將關(guān)閉內(nèi)在的大部分功能，所有數(shù)據(jù)接收與發(fā)送器都將關(guān)閉，所有內(nèi)部的程序裝置將復(fù)位，DLL（延遲鎖相環(huán)路）與時(shí)鐘電路將停止工作，而且不理睬數(shù)據(jù)總線(xiàn)上的任何動(dòng)靜。

這樣一來(lái)，將使DDR3達(dá)到最節(jié)省電力的目的。4.DDR3新增ZQ校準(zhǔn)功能ZQ也是一個(gè)新增的腳，在這個(gè)引腳上接有一個(gè)240歐姆的低公差參考電阻。

這個(gè)引腳通過(guò)一個(gè)命令集，通過(guò)片上校準(zhǔn)引擎（On-Die Calibration Engine,ODCE）來(lái)自動(dòng)校驗(yàn)數(shù)據(jù)輸出驅(qū)動(dòng)器導(dǎo)通電阻與ODT的終結(jié)電阻值。當(dāng)系統(tǒng)發(fā)出這一指令后，將用相應(yīng)的時(shí)鐘周期（在加電與初始化之后用512個(gè)時(shí)鐘周期，在退出自刷新操作后用256個(gè)時(shí)鐘周期、在其他情況下用64個(gè)時(shí)鐘周期）對(duì)導(dǎo)通電阻和ODT電阻進(jìn)行重新校準(zhǔn)。

參考電壓分成兩個(gè)在DDR3系統(tǒng)中，對(duì)于內(nèi)存系統(tǒng)工作非常重要的參考電壓信號(hào)VREF將分為兩個(gè)信號(hào)，即為命令與地址信號(hào)服務(wù)的VREFCA和為數(shù)據(jù)總線(xiàn)服務(wù)的VREFDQ，這將有效地提高系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線(xiàn)的信噪等級(jí)。點(diǎn)對(duì)點(diǎn)連接（Point-to-Point,P2P）這是為了提高系統(tǒng)性能而進(jìn)行的重要改動(dòng)，也是DDR3與DDR2的一個(gè)關(guān)鍵區(qū)別。

DDR3雙列直插內(nèi)存模塊“背面”的測(cè)試點(diǎn)在DDR3系統(tǒng)中，一個(gè)內(nèi)存控制器只與一個(gè)內(nèi)存通道打交道，而且這個(gè)內(nèi)存通道只能有一個(gè)插槽，因此，內(nèi)存控制器與DDR3內(nèi)存模組之間是點(diǎn)對(duì)點(diǎn)（P2P）的關(guān)系（單物理Bank的模組），或者是點(diǎn)對(duì)雙點(diǎn)（Point-to-two-Point,P22P）的關(guān)系（雙物理Bank的模組），從而大大地減輕了地址/命令/控制與數(shù)據(jù)總線(xiàn)的負(fù)載。而在內(nèi)存模組方面，與DDR2的類(lèi)別相類(lèi)似，也有標(biāo)準(zhǔn)DIMM（臺(tái)式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（筆記本電腦）、FB-DIMM2（服務(wù)器）之分，其中第二代FB-DIMM將采用規(guī)格更高的AMB2（高級(jí)內(nèi)存緩沖器）。

面向64位構(gòu)架的DDR3顯然在頻率和速度上擁有更多的優(yōu)勢(shì)，此外，由于DDR3所采用的根據(jù)溫度自動(dòng)自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移動(dòng)設(shè)備的歡迎，就像最先迎接DDR2內(nèi)存的不是臺(tái)式機(jī)而是服務(wù)器一樣。在CPU外頻提升最迅速的PC臺(tái)式機(jī)領(lǐng)域，DDR3未來(lái)也是一片光明。

目前Intel預(yù)計(jì)在明年第二季所推。

2.什么是DDR3

DDR3是顯存！DDR3顯存，可以看作是DDR2的改進(jìn)版，二者有很多相同之處，例如采用1。

8V標(biāo)準(zhǔn)電壓、主要采用144Pin球形針腳的FBGA封裝方式。不過(guò)DDR3核心有所改進(jìn)：DDR3顯存采用0。

11微米生產(chǎn)工藝，耗電量較DDR2明顯降低。 此外，DDR3顯存采用了“Pseudo Open Drain”接口技術(shù)，只要電壓合適，顯示芯片可直接支持DDR3顯存。

當(dāng)然，顯存顆粒較長(zhǎng)的延遲時(shí)間（CAS latency）一直是高頻率顯存的一大通病，DDR3也不例外，DDR3的CAS latency為5/6/7/8，相比之下DDR2為3/4/5。 客觀地說(shuō)，DDR3相對(duì)于DDR2在技術(shù)上并無(wú)突飛猛進(jìn)的進(jìn)步，但DDR3的性能優(yōu)勢(shì)仍比較明顯： 1）功耗和發(fā)熱量較?。何×薉DR2的教訓(xùn)，在控制成本的基礎(chǔ)上減小了能耗和發(fā)熱量，使得DDR3更易于被用戶(hù)和廠(chǎng)家接受。

（2）工作頻率更高：由于能耗降低，DDR3可實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率，在一定程度彌補(bǔ)了延遲時(shí)間較長(zhǎng)的缺點(diǎn)，同時(shí)還可作為顯卡的賣(mài)點(diǎn)之一，這在搭配DDR3顯存的顯卡上已有所表現(xiàn)。 （3）降低顯卡整體成本：DDR2顯存顆粒規(guī)格多為4M X 32bit，搭配中高端顯卡常用的128MB顯存便需8顆。

而DDR3顯存規(guī)格多為8M X 32bit，單顆顆粒容量較大，4顆即可構(gòu)成128MB顯存。如此一來(lái)，顯卡PCB面積可減小，成本得以有效控制，此外，顆粒數(shù)減少后，顯存功耗也能進(jìn)一步降低。

（4）通用性好：相對(duì)于DDR變更到DDR2,DDR3對(duì)DDR2的兼容性更好。由于針腳、封裝等關(guān)鍵特性不變，搭配DDR2的顯示核心和公版設(shè)計(jì)的顯卡稍加修改便能采用DDR3顯存，這對(duì)廠(chǎng)商降低成本大有好處。

目前，DDR3顯存在新出的大多數(shù)中高端顯卡上得到了廣泛的應(yīng)用。 現(xiàn)在明白了？。

3.常見(jiàn)內(nèi)存型號(hào)基礎(chǔ)知識(shí)是什么

DDR=DoubleDataRate雙倍速率同步固態(tài)隨機(jī)處理器

嚴(yán)格的說(shuō)DDR應(yīng)該叫DDRSDRAM，人們習(xí)慣稱(chēng)為DDR，部分初學(xué)者也常看到DDRSDRAM，就認(rèn)為是SDRAM。DDRSDRAM是 DoubleDataRateSDRAM的縮寫(xiě)，是雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)的，仍然沿用 SDRAM生產(chǎn)體系，因此對(duì)于內(nèi)存廠(chǎng)商而言，只需對(duì)制造普通SDRAM的設(shè)備稍加改進(jìn)，即可實(shí)現(xiàn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn)，可有效的降低成本。

什么是DDR1?

有時(shí)候大家將老的存儲(chǔ)技術(shù)DDR稱(chēng)為DDR1，使之與DDR2加以區(qū)分。盡管一般是使用“DDR”，但DDR1與DDR的含義相同。

DDR1規(guī)格

DDR-200:DDR-SDRAM記憶芯片在100MHz下運(yùn)行DDR-266:DDR-SDRAM記憶芯片在133MHz下運(yùn)行DDR- 333:DDR-SDRAM記憶芯片在166MHz下運(yùn)行DDR-400:DDR-SDRAM記憶芯片在200MHz下運(yùn)行（JEDEC制定的DDR最高 規(guī)格）DDR-500:DDR-SDRAM記憶芯片在250MHz下運(yùn)行（非JEDEC制定的DDR規(guī)格）DDR-600:DDR-SDRAM記憶芯片在 300MHz下運(yùn)行（非JEDEC制定的DDR規(guī)格）DDR-700:DDR-SDRAM記憶芯片在350MHz下運(yùn)行（非JEDEC制定的DDR規(guī)格）

什么是DDR2?

DDR2/DDRII(DoubleDataRate2)SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)）進(jìn)行開(kāi)發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)， 它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同就是，雖然同是采用了在時(shí)鐘的上升/下降延同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，但DDR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR 內(nèi)存預(yù)讀取能力（即：4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)取）。換句話(huà)說(shuō)，DDR2內(nèi)存每個(gè)時(shí)鐘能夠以4倍外部總線(xiàn)的速度讀/寫(xiě)數(shù)據(jù)，并且能夠以?xún)?nèi)部控制總線(xiàn)4倍的速度運(yùn) 行。

此外，由于DDR2標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定所有DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式，而不同于目前廣泛應(yīng)用的TSOP/TSOP-II封裝形式，F(xiàn)BGA封裝 可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來(lái)頻率的發(fā)展提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。回想起DDR的發(fā)展歷程，從第一代應(yīng)用到個(gè)人電腦的 DDR200經(jīng)過(guò)DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術(shù)，第一代DDR的發(fā)展也走到了技術(shù)的極限，已經(jīng)很難通過(guò)常規(guī)辦法提高內(nèi)存的工 作速度；隨著Intel最新處理器技術(shù)的發(fā)展，前端總線(xiàn)對(duì)內(nèi)存帶寬的要求是越來(lái)越高，擁有更高更穩(wěn)定運(yùn)行頻率的DDR2內(nèi)存將是大勢(shì)所趨。

什么是DDR3?

DDR3是針對(duì)Intel新型芯片的一代內(nèi)存技術(shù)（但目前主要用于顯卡內(nèi)存），頻率在800M以上，和DDR2相比優(yōu)勢(shì)如下：

(1)功耗和發(fā)熱量較?。何×薉DR2的教訓(xùn)，在控制成本的基礎(chǔ)上減小了能耗和發(fā)熱量，使得DDR3更易于被用戶(hù)和廠(chǎng)家接受。

(2)工作頻率更高：由于能耗降低，DDR3可實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率，在一定程度彌補(bǔ)了延遲時(shí)間較長(zhǎng)的缺點(diǎn)，同時(shí)還可作為顯卡的賣(mài)點(diǎn)之一，這在搭配DDR3顯存的顯卡上已有所表現(xiàn)。

(3)降低顯卡整體成本：DDR2顯存顆粒規(guī)格多為16MX32bit，搭配中高端顯卡常用的128MB顯存便需8顆。而DDR3顯存顆粒規(guī)格 多為32MX32bit，單顆顆粒容量較大，4顆即可構(gòu)成128MB顯存。如此一來(lái)，顯卡PCB面積可減小，成本得以有效控制，此外，顆粒數(shù)減少后，顯存 功耗也能進(jìn)一步降低。

(4)通用性好：相對(duì)于DDR變 更到DDR2,DDR3對(duì)DDR2的兼容性更好。由于針腳、封裝等關(guān)鍵特性不變，搭配DDR2的顯示核心和公版設(shè)計(jì)的顯卡稍加修改便能采用DDR3顯存，這對(duì)廠(chǎng)商降低成本大有好處。

目前，DDR3顯存在新出的大多數(shù)中高端顯卡上得到了廣泛的應(yīng)用。

小提示：大家通過(guò)閱讀以上為大家詳細(xì)介紹的常見(jiàn)內(nèi)存型號(hào)基礎(chǔ)知識(shí)，對(duì)于電腦內(nèi)存是不是有了個(gè)深刻的理解了呢！希望能夠幫助到大家學(xué)習(xí)到更多關(guān)于電腦基礎(chǔ)知識(shí)！

4.介紹一下有關(guān)DDR3的內(nèi)存

針對(duì)Windows Vista的新一代內(nèi)存技術(shù)（目前主要用于顯卡內(nèi)存），頻率在800M以上，和DDR2相比優(yōu)勢(shì)如下： （1）功耗和發(fā)熱量較?。何×薉DR2的教訓(xùn)，在控制成本的基礎(chǔ)上減小了能耗和發(fā)熱量，使得DDR3更易于被用戶(hù)和廠(chǎng)家接受。

（2）工作頻率更高：由于能耗降低，DDR3可實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率，在一定程度彌補(bǔ)了延遲時(shí)間較長(zhǎng)的缺點(diǎn)，同時(shí)還可作為顯卡的賣(mài)點(diǎn)之一，這在搭配DDR3顯存的顯卡上已有所表現(xiàn)。 （3）降低顯卡整體成本：DDR2顯存顆粒規(guī)格多為4M X 32bit，搭配中高端顯卡常用的128MB顯存便需8顆。

而DDR3顯存規(guī)格多為8M X 32bit，單顆顆粒容量較大，4顆即可構(gòu)成128MB顯存。如此一來(lái)，顯卡PCB面積可減小，成本得以有效控制，此外，顆粒數(shù)減少后，顯存功耗也能進(jìn)一步降低。

（4）通用性好：相對(duì)于DDR變更到DDR2,DDR3對(duì)DDR2的兼容性更好。由于針腳、封裝等關(guān)鍵特性不變，搭配DDR2的顯示核心和公版設(shè)計(jì)的顯卡稍加修改便能采用DDR3顯存，這對(duì)廠(chǎng)商降低成本大有好處。

目前，DDR3顯存在新出的大多數(shù)中高端顯卡上得到了廣泛的應(yīng)用。 一、DDR3在DDR2基礎(chǔ)上采用的新型設(shè)計(jì)： DDR3 1.8bit預(yù)取設(shè)計(jì)，而DDR2為4bit預(yù)取，這樣DRAM內(nèi)核的頻率只有接口頻率的1/8,DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz。

2.采用點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的拓樸架構(gòu)，以減輕地址/命令與控制總線(xiàn)的負(fù)擔(dān)。 3.采用100nm以下的生產(chǎn)工藝，將工作電壓從1.8V降至1.5V，增加異步重置（Reset）與ZQ校準(zhǔn)功能。

二、DDR3與DDR2幾個(gè)主要的不同之處 ： 1.突發(fā)長(zhǎng)度（Burst Length,BL） 由于DDR3的預(yù)取為8bit，所以突發(fā)傳輸周期（Burst Length,BL）也固定為8，而對(duì)于DDR2和早期的DDR架構(gòu)系統(tǒng)，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個(gè)4bit Burst Chop（突發(fā)突變）模式，即由一個(gè)BL=4的讀取操作加上一個(gè)BL=4的寫(xiě)入操作來(lái)合成一個(gè)BL=8的數(shù)據(jù)突發(fā)傳輸，屆時(shí)可通過(guò)A12地址線(xiàn)來(lái)控制這一突發(fā)模式。而且需要指出的是，任何突發(fā)中斷操作都將在DDR3內(nèi)存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更靈活的突發(fā)傳輸控制（如4bit順序突發(fā)）。

2.尋址時(shí)序（Timing） 就像DDR2從DDR轉(zhuǎn)變而來(lái)后延遲周期數(shù)增加一樣，DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL范圍一般在2~5之間，而DDR3則在5~11之間，且附加延遲（AL）的設(shè)計(jì)也有所變化。

DDR2時(shí)AL的范圍是0~4，而DDR3時(shí)AL有三種選項(xiàng)，分別是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3還新增加了一個(gè)時(shí)序參數(shù)——寫(xiě)入延遲（CWD），這一參數(shù)將根據(jù)具體的工作頻率而定。

3.DDR3新增的重置（Reset）功能 重置是DDR3新增的一項(xiàng)重要功能，并為此專(zhuān)門(mén)準(zhǔn)備了一個(gè)引腳。DRAM業(yè)界很早以前就要求增加這一功能，如今終于在DDR3上實(shí)現(xiàn)了。

這一引腳將使DDR3的初始化處理變得簡(jiǎn)單。當(dāng)Reset命令有效時(shí)，DDR3內(nèi)存將停止所有操作，并切換至最少量活動(dòng)狀態(tài)，以節(jié)約電力。

在Reset期間，DDR3內(nèi)存將關(guān)閉內(nèi)在的大部分功能，所有數(shù)據(jù)接收與發(fā)送器都將關(guān)閉，所有內(nèi)部的程序裝置將復(fù)位，DLL（延遲鎖相環(huán)路）與時(shí)鐘電路將停止工作，而且不理睬數(shù)據(jù)總線(xiàn)上的任何動(dòng)靜。這樣一來(lái)，將使DDR3達(dá)到最節(jié)省電力的目的。

4.DDR3新增ZQ校準(zhǔn)功能 ZQ也是一個(gè)新增的腳，在這個(gè)引腳上接有一個(gè)240歐姆的低公差參考電阻。這個(gè)引腳通過(guò)一個(gè)命令集，通過(guò)片上校準(zhǔn)引擎（On-Die Calibration Engine,ODCE）來(lái)自動(dòng)校驗(yàn)數(shù)據(jù)輸出驅(qū)動(dòng)器導(dǎo)通電阻與ODT的終結(jié)電阻值。

當(dāng)系統(tǒng)發(fā)出這一指令后，將用相應(yīng)的時(shí)鐘周期（在加電與初始化之后用512個(gè)時(shí)鐘周期，在退出自刷新操作后用256個(gè)時(shí)鐘周期、在其他情況下用64個(gè)時(shí)鐘周期）對(duì)導(dǎo)通電阻和ODT電阻進(jìn)行重新校準(zhǔn)。 5.參考電壓分成兩個(gè) 在DDR3系統(tǒng)中，對(duì)于內(nèi)存系統(tǒng)工作非常重要的參考電壓信號(hào)VREF將分為兩個(gè)信號(hào)，即為命令與地址信號(hào)服務(wù)的VREFCA和為數(shù)據(jù)總線(xiàn)服務(wù)的VREFDQ，這將有效地提高系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線(xiàn)的信噪等級(jí)。

6.點(diǎn)對(duì)點(diǎn)連接（Point-to-Point,P2P） 這是為了提高系統(tǒng)性能而進(jìn)行的重要改動(dòng)，也是DDR3與DDR2的一個(gè)關(guān)鍵區(qū)別。在DDR3系統(tǒng)中，一個(gè)內(nèi)存控制器只與一個(gè)內(nèi)存通道打交道，而且這個(gè)內(nèi)存通道只能有一個(gè)插槽，因此，內(nèi)存控制器與DDR3內(nèi)存模組之間是點(diǎn)對(duì)點(diǎn)（P2P）的關(guān)系（單物理Bank的模組），或者是點(diǎn)對(duì)雙點(diǎn)（Point-to-two-Point,P22P）的關(guān)系（雙物理Bank的模組），從而大大地減輕了地址/命令/控制與數(shù)據(jù)總線(xiàn)的負(fù)載。

而在內(nèi)存模組方面，與DDR2的類(lèi)別相類(lèi)似，也有標(biāo)準(zhǔn)DIMM（臺(tái)式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（筆記本電腦）、FB-DIMM2（服務(wù)器）之分，其中第二代FB-DIMM將采用規(guī)格更高的AMB2（高級(jí)內(nèi)存緩沖器）。 面向64位構(gòu)架的DDR3顯然在頻率和速度上擁有更多的優(yōu)勢(shì)，此外，由于DDR3所采用的根據(jù)溫度自動(dòng)自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移動(dòng)設(shè)備的歡迎，就像最先迎接DDR2內(nèi)存的不是臺(tái)式機(jī)而是服務(wù)器一樣。

在CPU外頻提升最迅速的PC臺(tái)式機(jī)領(lǐng)域，DDR3未來(lái)也是一片光明。目前Intel預(yù)計(jì)在明年第二季所推出的新芯片-熊湖（Bear Lake）。

5.DDR3到底怎樣

在眾多電腦配件中，內(nèi)存雖然被視為三大核心零配件之一，但其更新?lián)Q代頻率明顯偏慢。

內(nèi)存不僅比CPU、顯卡、主板換代速度慢很多，甚至比光存儲(chǔ)及顯示器都要滯后。 在內(nèi)存的發(fā)展史上，早期EDO、SDRAM、DDR等規(guī)格每一代產(chǎn)品大約都流行了3-5年時(shí)間。

目前主流內(nèi)存規(guī)格早已經(jīng)過(guò)渡到DDR2，而普及時(shí)間也超過(guò)3年以上了，其頻率從DDR2-400一路攀升至DDR2-1200，甚至更高。正當(dāng)人們逐漸厭倦DDR2內(nèi)存的頻率大戰(zhàn)后，2006年國(guó)際JEDEC組織正式公布了下一代內(nèi)存規(guī)格——DDR3。

DDR3內(nèi)存是基于DDR2內(nèi)存衍生出來(lái)的新產(chǎn)品，擁有諸多優(yōu)點(diǎn)，如：頻率更高、功耗更低、穩(wěn)定性更好。 當(dāng)然，有優(yōu)勢(shì)就伴隨著劣勢(shì)，目前DDR3內(nèi)存主要的劣勢(shì)在于：成本居高不下、不與DDR2兼容、高延遲仍沒(méi)有得到有效解決。

從本質(zhì)上來(lái)講，DDR3內(nèi)存并非是一款嚴(yán)格意義上的全新產(chǎn)品，它是在優(yōu)化了DDR2內(nèi)存某些特性后的產(chǎn)物，就像是汽車(chē)界的“改款車(chē)”一樣，實(shí)質(zhì)上并沒(méi)有發(fā)生大的變化。 DDR3內(nèi)存芯片不僅仍使用成熟的FBGA封裝工藝，而且就連基礎(chǔ)電路設(shè)計(jì)和制作工藝上也與上代DDR2相差不多，因此DDR3內(nèi)存仍是DDR家族的一個(gè)延續(xù)者。

如今，搭載著英特爾P35芯片組的主板已經(jīng)相繼鋪貨，DDR3內(nèi)存也終于盼到普及的曙光，今天筆者就來(lái)深入分析一下《DDR3內(nèi)存何時(shí)步入主流？》這個(gè)話(huà)題。 在話(huà)題開(kāi)始前，筆者首先給大家介紹一下DDR3內(nèi)存的優(yōu)缺點(diǎn)，以方便讀者理解DDR3內(nèi)存的特性。

首先從工作頻率上來(lái)看，DDR3可以在800MHz至1666MHz下運(yùn)行，當(dāng)然今后也不排除更高頻率的產(chǎn)品誕生，而DDR2是在533MHz至1200MHz下運(yùn)行。 通常，DDR3是DDR2頻率的兩倍，它通過(guò)削減一半讀寫(xiě)時(shí)間給系統(tǒng)帶來(lái)操作性能提高。

在設(shè)計(jì)功耗方面，DDR3內(nèi)存相比DDR2內(nèi)存可以節(jié)約16%的電能。這因?yàn)樾乱淮鶧DR3內(nèi)存的工作電壓是在1。

5V下，而DDR2內(nèi)存則是在1。8V電壓下工作，這樣可以彌補(bǔ)由于過(guò)多的操作頻率所產(chǎn)生的高電能消耗。

同時(shí)，減少的能量消耗可以延長(zhǎng)產(chǎn)品的平均使用壽命。 在特色技術(shù)方面，DDR3內(nèi)存BANK增加到了8個(gè)，相對(duì)于DDR2來(lái)說(shuō)整整提高了一倍。

因此，同頻率條件下，DDR3內(nèi)存相比DDR2內(nèi)存預(yù)讀取能力可以提高55%的效率，是DDR2標(biāo)準(zhǔn)的兩倍之多。 首先是用戶(hù)最關(guān)心的價(jià)格問(wèn)題，目前主流1GB DDR2-667內(nèi)存平均價(jià)格在310元左右，而1GB DDR3-1333內(nèi)存價(jià)格則在1600左右，兩者之間相差了5倍之多，試問(wèn)有誰(shuí)會(huì)在現(xiàn)在購(gòu)買(mǎi)DDR3呢？ 其次就是DDR3內(nèi)存的超前性，雖然目前市場(chǎng)上已經(jīng)開(kāi)始有支持DDR3內(nèi)存的主板銷(xiāo)售（例如P35主板已經(jīng)可以很好支持DDR3內(nèi)存），但是由于剛上市的新品主板價(jià)格不菲，所以造成了用戶(hù)整體平臺(tái)投資過(guò)大。

此外，DDR2內(nèi)存和DDR3內(nèi)存互不兼容也大大制約了它的發(fā)展。 最后就是DDR3依然存在高延遲的老毛病，就拿常規(guī)1GB DDR3-1066內(nèi)存為例，標(biāo)準(zhǔn)延遲參數(shù)為CL=7，而很多DDR3-1333的延遲值甚至達(dá)到了10個(gè)周期以上。

所謂內(nèi)存的延遲，通俗地講就是內(nèi)存與CPU、總線(xiàn)發(fā)生數(shù)據(jù)交換前，系統(tǒng)等待內(nèi)存響應(yīng)的這個(gè)時(shí)間，這個(gè)值越小越好 DDR3內(nèi)存要取代DDR2內(nèi)存成為市場(chǎng)主流，還需要多方的共同努力，時(shí)間至少要等到2009年。 目前DDR3內(nèi)存仍以DDR3-1066和DDR3-1333兩種規(guī)格為主流，更高頻率DDR3內(nèi)存在短期內(nèi)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)還有一定困難，出貨量也非常微小，而且價(jià)格過(guò)于高昂，甚至接近DDR2內(nèi)存的10倍。

現(xiàn)在DDR2內(nèi)存制造工藝已經(jīng)相當(dāng)成熟，價(jià)格也非常便宜，因此其主流地位短期內(nèi)還無(wú)法撼動(dòng)，未來(lái)會(huì)有很長(zhǎng)一段時(shí)間出現(xiàn)DDR2和DDR3內(nèi)存并存的現(xiàn)象。 大廠(chǎng)商早已經(jīng)開(kāi)始研發(fā)DDR3內(nèi)存，因?yàn)檫@個(gè)是內(nèi)存的發(fā)展趨勢(shì)，就像DDR2取代DDR一樣，只是個(gè)時(shí)間問(wèn)題。

DDR3的推廣也要看業(yè)界各廠(chǎng)商態(tài)度，因?yàn)樽罱酒径荚谫r錢(qián)，他們很不愿意去投產(chǎn)DDR3內(nèi)存。其次就是看市場(chǎng)的供求關(guān)系，我相信明年DDR3會(huì)得到很好普及。

對(duì)于大部分專(zhuān)業(yè)內(nèi)存廠(chǎng)商來(lái)講，技術(shù)絕對(duì)不是DDR3內(nèi)存普及的難點(diǎn)。我們可以在很短的時(shí)間內(nèi)，轉(zhuǎn)型到生產(chǎn)DDR3內(nèi)存。

對(duì)于主板芯片廠(chǎng)商來(lái)講，雖然目前只有英特爾推出了支持DDR3內(nèi)存的芯片組，但之前已經(jīng)與多家內(nèi)存廠(chǎng)商達(dá)成協(xié)議，共同來(lái)推廣DDR3架構(gòu)內(nèi)存。 從目前大趨勢(shì)來(lái)看，晶圓及模組廠(chǎng)商已經(jīng)開(kāi)始儲(chǔ)備DDR3內(nèi)存，DDR2架構(gòu)內(nèi)存逐漸開(kāi)始減產(chǎn)。

這就意味著，DDR3內(nèi)存產(chǎn)能提高后，價(jià)格會(huì)越來(lái)越低，同時(shí)DDR2內(nèi)存價(jià)格會(huì)逐漸失去價(jià)格優(yōu)勢(shì)。我們預(yù)計(jì)，DDR3-1066內(nèi)存將成為2008年市場(chǎng)中的主流產(chǎn)品。

對(duì)于DDR3內(nèi)存來(lái)說(shuō)，因?yàn)樵缙诋a(chǎn)量和需求都十分有限，主要是根據(jù)用戶(hù)的需求進(jìn)行小批量接單生產(chǎn)，因此其價(jià)格會(huì)在至少6個(gè)月內(nèi)維持在高位。而到年底之后，隨著內(nèi)存需求的增加，DDR3的價(jià)格將開(kāi)始下降。

另外，內(nèi)存生產(chǎn)即將從90nm工藝過(guò)渡到70nm工藝。 在新制程下，相同的晶圓可以生產(chǎn)出更多的內(nèi)存顆粒，因此成本會(huì)有顯著降低，價(jià)格也會(huì)隨之下降。

預(yù)計(jì)，2009年DDR3內(nèi)存有可能會(huì)成為市場(chǎng)主流。 DDR3勢(shì)必代替DDR2成為內(nèi)存市場(chǎng)新霸主。

目前DDR3內(nèi)存的普及問(wèn)題主要是價(jià)格因素，不過(guò)從廠(chǎng)商的態(tài)度來(lái)看。

6.哪位高手可以詳細(xì)介紹下DDR3顯卡的特點(diǎn)以及優(yōu)勢(shì)及各方面特點(diǎn) 快些

針對(duì)Intel新型芯片的一代內(nèi)存技術(shù)（但目前主要用于顯卡內(nèi)存），頻率在800M以上，和DDR2相比優(yōu)勢(shì)如下：

(1)功耗和發(fā)熱量較小：吸取了DDR2的教訓(xùn)，在控制成本的基礎(chǔ)上減小了能耗和發(fā)熱量，使得DDR3更易于被用戶(hù)和廠(chǎng)家接受。

(2)工作頻率更高：由于能耗降低，DDR3可實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率，在一定程度彌補(bǔ)了延遲時(shí)間較長(zhǎng)的缺點(diǎn)，同時(shí)還可作為顯卡的賣(mài)點(diǎn)之一，這在搭配DDR3顯存的顯卡上已有所表現(xiàn)。

(3)降低顯卡整體成本：DDR2顯存顆粒規(guī)格多為4M X 32bit，搭配中高端顯卡常用的128MB顯存便需8顆。而DDR3顯存規(guī)格多為8M X 32bit，單顆顆粒容量較大，4顆即可構(gòu)成128MB顯存。如此一來(lái)，顯卡PCB面積可減小，成本得以有效控制，此外，顆粒數(shù)減少后，顯存功耗也能進(jìn)一步降低。

(4)通用性好：相對(duì)于DDR變更到DDR2,DDR3對(duì)DDR2的兼容性更好。由于針腳、封裝等關(guān)鍵特性不變，搭配DDR2的顯示核心和公版設(shè)計(jì)的顯卡稍加修改便能采用DDR3顯存，這對(duì)廠(chǎng)商降低成本大有好處。

目前，DDR3顯存在新出的大多數(shù)中高端顯卡上得到了廣泛的應(yīng)用。

7.什么是DDR3

針對(duì)Intel新型芯片的一代內(nèi)存技術(shù)（但目前主要用于顯卡內(nèi)存），頻率在800M以上，和DDR2相比優(yōu)勢(shì)如下：

(1)功耗和發(fā)熱量較?。何×薉DR2的教訓(xùn)，在控制成本的基礎(chǔ)上減小了能耗和發(fā)熱量，使得DDR3更易于被用戶(hù)和廠(chǎng)家接受。

(2)工作頻率更高：由于能耗降低，DDR3可實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率，在一定程度彌補(bǔ)了延遲時(shí)間較長(zhǎng)的缺點(diǎn)，同時(shí)還可作為顯卡的賣(mài)點(diǎn)之一，這在搭配DDR3顯存的顯卡上已有所表現(xiàn)。

(3)降低顯卡整體成本：DDR2顯存顆粒規(guī)格多為4M X 32bit，搭配中高端顯卡常用的128MB顯存便需8顆。而DDR3顯存規(guī)格多為8M X 32bit，單顆顆粒容量較大，4顆即可構(gòu)成128MB顯存。如此一來(lái)，顯卡PCB面積可減小，成本得以有效控制，此外，顆粒數(shù)減少后，顯存功耗也能進(jìn)一步降低。

(4)通用性好：相對(duì)于DDR變更到DDR2,DDR3對(duì)DDR2的兼容性更好。由于針腳、封裝等關(guān)鍵特性不變，搭配DDR2的顯示核心和公版設(shè)計(jì)的顯卡稍加修改便能采用DDR3顯存，這對(duì)廠(chǎng)商降低成本大有好處。

目前，DDR3顯存在新出的大多數(shù)中高端顯卡上得到了廣泛的應(yīng)用。